二、生产规模和工艺技术
（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。
（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币；申报符合规范名单时上一年实际产量不低于本条第（三）款产能要求的50%。
（三）光伏制造企业按产品类型应分别满足以下要求：
1.多晶硅项目每期规模不低于3000吨/年；
2.硅锭年产能不低于1000吨；
3.硅棒年产能不低于1000吨；
4.硅片年产能不低于5000万片；
5.晶硅电池年产能不低于200MWp；
6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；
7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp；
8.逆变器年产能不低于200MWp。
（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，碳、氧含量分别小于16和14PPMA；单晶硅片少子寿命大于10μs，碳、氧含量分别小于2和18PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17.5%和18.5%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于15.5%和16%；
5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%、10%。
6.含变压器型的并网光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的并网光伏逆变器中国加权效率不得低于98%。
（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2.5μs，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于18.5%和20%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于16.5%和17.5%；
5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、13%、13%、12%。
（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在1年内分别不高于2.5%和3%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在1年内不高于5%，25年内不高于20%。
